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2) 電遷移（Electromigration)

　　電遷移現象是由于電源線和信號線上過高的電流密度導致的。

　　1. 金屬電源線中的過高電流密度而引起的“電子風”，使得金屬離子遷移，從而形成了導線的空洞而導致某些情況下的斷路以及由遷移走的金屬堆積在別處而形成的短路現象（見圖2-3）。

　　2. 信號線的電遷移有時又稱為導線自熱，是由于互連線上信號的高速變化對電容的不斷充放電而引起的。當脈沖通過導線時，導線本身的功耗將使導線溫度超過氧化層溫度。氧化層和導線之間的溫度差異會產生機械應力，最終使導線斷裂。低K值的電介質熱傳導性差，機械強度低，因此用其制作的導線自熱問題將更為嚴重。導線自熱問題由來已久，但在0.25微米及其以下工藝必須采用智能化程度更高的設計工具來解決導線自熱問題，否則芯片將無法工作。

3) 電壓下降（IR Drop）

　　電壓降是由于電源線自身存在一定的電阻，或者單元的電流比預想的大而產生的電壓下降。可導致門和信號的延遲從而引起時序退化和時鐘偏移，以及噪聲容限的降低。IC只能按規定的時序接收數據，過多的信號延遲可能導致時序違背和功能的混亂，而且延遲會使芯片的工作頻率降低，從而影響芯片的性能。時鐘偏移還會使系統的功耗加大（見圖2-4）。

　　單純的增加電源線的寬度會降低電阻從而降低電壓降，但是那會減少可用的布線面積，因此在多數情況下并不適用。